在舊有NPT平面技術的基礎上開發(fā)了一種可以提高高開關頻率的升壓電路效率的器件FGL40N120AND，具有43uJ/A的EOFF，比較采用更先進技術器件的EOFF為80uJ/A，但要獲得這種性能卻非常困難。FGL40N120AND器件的缺點在于飽和壓降VCE(SAT)(3.0V相對于125ºC的2.1V)較高，不過它在高升壓開關頻率下開關損耗很低的優(yōu)點已足以彌補這一切。該器件還集成了反并聯(lián)二極管。在正常升壓工作下，該二極管不會導通。然而，在啟動期間或瞬變情況下，升壓電路有可能被驅使進入工作模式，這時該反并聯(lián)二極管就會導通。由于IGBT本身沒有固有的體二極管，故需要這種共封裝的二極管來保證可靠的工作。對升壓二極管，需要Stealth™或碳硅二極管這樣的快速恢復二極管。碳硅二極管具有很低的正向電壓和損耗。不過目前它們的價格都很高昂。在選擇升壓二極管時，必須考慮到反向恢復電流(或碳硅二極管的結電容)對升壓開關的影響，因為這會導致額外的損耗。在這里，新推出的StealthII二極管FFP08S60S可以提供更高的性能。當VDD=390V、ID=8A、di/dt=200A/us，且外殼溫度為100ºC時，計算得出的開關損耗低于FFP08S60S的參數(shù)205mJ。而采用ISL9R860P2Stealth二極管，這個值則達225mJ。故此舉也提高了逆變器在高開關頻率下的效率?！?a href="http://xiangkuangqiang.cn/">太陽能路燈廠家】