濾波之后，輸出橋產(chǎn)生一個50Hz的正弦電壓及電流信號。一種常見的實(shí)現(xiàn)方案是采用標(biāo)準(zhǔn)全橋結(jié)構(gòu)(圖2)。圖中若左上方和右下方的開關(guān)導(dǎo)通，則在左右終端之間加載一個正電壓;右上方和左下方的開關(guān)導(dǎo)通，則在左右終端之間加載一個負(fù)電壓。對于這種應(yīng)用，在某一時段只有一個開關(guān)導(dǎo)通。一個開關(guān)可被切換到PWM高頻下，另一開關(guān)則在50Hz低頻下。由于自舉電路依賴于低端器件的轉(zhuǎn)換，故低端器件被切換到PWM高頻下，而高端器件被切換到50Hz低頻下。這應(yīng)用采用了600V的功率開關(guān)，故600V超結(jié)MOSFET非常適合這個高速的開關(guān)器件。由于這些開關(guān)器件在開關(guān)導(dǎo)通時會承受其它器件的全部反向恢復(fù)電流，因此快速恢復(fù)超結(jié)器件如600VFCH47N60F是十分理想的選擇。它的RDS(ON)為73毫歐，相比其它同類的快速恢復(fù)器件其導(dǎo)通損耗很低。當(dāng)這種器件在50Hz下進(jìn)行轉(zhuǎn)換時，無需使用快速恢復(fù)特性。這些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性，比較標(biāo)準(zhǔn)超結(jié)MOSFET可提高系統(tǒng)的可靠性。

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